实配网配资供需变化下的产业机遇:长鑫科技以双突破引领存储创新

根据TechInsights提供的数据实配网配资,用于各种应用的DRAM现货价格在4月份同比仅上涨4%之后,9月份已较去年同期上涨了近两倍。这一轮强劲的价格上涨,不仅反映了市场供需格局的深刻变化,更凸显了技术创新在当前行业周期中的核心价值。

2025年9月,全球半导体器件领域的顶级学术会议——国际电子器件大会(IEDM)论文录用名单正式揭晓。国内DRAM制造龙头长鑫科技,凭借在3D FeRAM与采用后端工艺集成的新型多层堆叠DRAM架构上的两项突破性研究成果成功入选,论文数量位居国内企业第一。

国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)是由IEEE主办的微电子器件领域年度学术会议,始于1955年,拥有七十多年历史。是全球半导体器件领域最顶尖的学术会议之一,被誉为该领域的“奥林匹克盛会”。

今年,中国内地机构在本届IEDM的论文覆盖了全部九大技术方向中的六个,不仅在入选数量上实现全面提升,其全球占比也同步增长,显示出整体研究实力与影响力的持续增强。中国内地机构(含高校、科研院所及企业)的入选论文共涉及本届IEDM设置的32个关键技术Session,占全部Session的76.2%,研究范围全面覆盖先进逻辑技术(ALT)、新兴器件与计算(EDT)、存储器技术(MT)等重要方向。

按第一作者单位统计,北京大学以21篇入选论文领跑中国内地高校与科研机构,中国科学院微电子研究所(8篇)与清华大学(6篇)紧随其后。企业方面,长鑫科技以2篇入选论文位居首位,杭州领挚科技与苏州能讯高能半导体各以1篇并列其后,显示出本土企业在关键器件方向的初步突破。

本次长鑫科技展示的3D FeRAM方案实现了单片集成的堆叠式铁电电容结构,利用铁电材料的非易失特性,在单元层面实现了数据断电保存功能,同时通过三维堆叠工艺提升了存储密度。铁电存储器因其读写速度接近DRAM、功耗接近NAND的特性,被视为潜在的新型存储解决方案。

在DRAM技术方向上,长鑫科技提出了可在后端工艺线(BEOL)集成的多层堆叠DRAM架构。该技术突破了传统DRAM仅能在晶圆前道工艺制造的局限,通过在后道工序中直接构建存储单元,实现了存储阵列与逻辑电路的三维集成。这一路径若成熟,有望为存算一体架构和异构集成提供新的硬件基础。

长鑫科技的技术护城河源于其持续的研发投入与专利资产。较高的研发人员占比及13,449项专利的坚实积累(位列集微咨询《2024年中国大陆半导体制造企业专利榜单》第二),是长鑫突破国内DRAM产业空白的关键。在此基础上,公司对长鑫的技术和产品实力也颇为认可,据公开信息,目前长鑫主要客户包括小米、OPPO、传音、vivo等头部企业,并服务器、物联网等高增长赛道。由于掌握DRAM这一具有大宗产品属性的产业命脉,长鑫的本土化服务与先发优势,为其快速提升市场份额奠定了坚实基础。

随着中国在全球半导体领域的技术实力不断彰显,长鑫科技为后续本土企业在半导体核心技术领域的攻坚提供了宝贵的参考范本。

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